LED手电筒，LED强光手电筒，LED充电手电筒找朗锐光电
本手电的优点：体积小巧，重量轻，便于携带，坚固耐用，具备全天候使用功能，光照强烈，直射距离远，强弱光线可选择，强光——远射，弱光——近照；紧急时----爆闪光.顶部氧化钛合金加强攻-击-头设计,可在紧急情况下替代安全锤用来砸碎车窗逃生.
产品参数：
产品编号：强光手电 灯泡：CREE大功率LED
光束亮度：140流明 电源：1节NT18650可充锂离子电池
材质：航天等级强化铝材6061-T6 表面处理：硬质阳极氧化-钛黑色
镜片材料：进口FCL镜片 重量：160g（不含电池）
尺寸：长150mm×握柄26.5mm（灯头直径：37.5mm）
持续照明时间：5%弱光使用时间：6540分钟
100%强光使用时间：450分钟
10HZ暴闪使用时间：516分钟
【经营理念】
"您的满意是我们目标"。我们将继续努力为您提供更齐全的商品种类、可靠的商品质量、优惠的商品价格和快捷周到的服务。我们关注细节，从每一个客户出发，从每一个服务接触点做起，把每一个细节做到最圆满、最到位，为您提供超值的精品和服务。LED强光手电筒
以下为推广文章,与本公司的产品与服务无关!
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影响LED发光效率。为了解决LED散热难题，于蓝宝石基板的导热系数差。未来有可能将主要采用垂直结构LED架构，促进LED产业的技术发展。关于垂直结构LED技术相信大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨供参考。
LED芯片有两种基本结构，知道。横向结构（Later和垂直结构（Vertic横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED发光面积。
制造垂直结构LED芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构：生长GaP基LED外延层在导电DBR反射层上。不剥离导电砷化镓生长衬底：导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层。键合导电支持衬底，剥离砷化镓生长衬底：
层迭反射层在GaP基LED外延层上。剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。生长在硅片上的垂直GaN基LED也有两种结构：另外。生长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。不剥离硅生长衬底：导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层。金属反射层上键合导电支持衬底，剥离硅生长衬底：层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上。剥离硅生长衬底。反射层上键合导电支持衬底，再简单说明制造垂直氮化镓基LED工艺流程：层迭反射层在氮化镓基LED外延层上。剥离蓝宝石生长衬底。导电支持衬底包括，金属及合金衬底，硅衬底等。
