BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃          100

• Vce(sat),Max(V)        3.7

• Ton(us)                0.26

• Toff(us)               0.6

• Rth(j-c),K/W           0.18

• Pc(W)                  700

• 封装                  34mm

• 电路结构               半桥

性能概要：

• 半桥

• 包括快速续流二极管

• 包带绝缘的金属基板