DSB221SDA晶振,1XXB26000CTB温补晶振频率范围9.600MHZ-52.000MHZ
电源电压:2.8V
输出负载: 10PF
工作温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+85℃
精度 ±1.5ppm
输出方式：CMOS
尺寸：小体积2.5*2.0*0.8mm
应用：GPS全球定位导航系统,移动智能手机,蜂窝,无线模块等产品
KDS晶振所有的产品均符合欧盟环保标准,KDS晶振集团内部采用严格的管理制度,以地球环保为理念,所有生产的石英晶振产品都是以尽可能的减少对地球的污染,所以KDS产品都是无铅环保化.KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶体谐振器生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片石英晶体振荡器为主,体积已经是全世界石英晶体振荡器之中最小的.
产品说明:
DSB221SDA晶振,1XXB26000CTB温补晶振,超小型,重量轻,贴片型四脚金属表面石英晶振,本产品具有温度补偿功能,在周围温度上升或下降时,都能将温度控制于±0.5ppm~±2.0ppm之间,稳定性极强,拥有1.8V~3.3V的电源电压,低功耗,低电流和低抖动,所以DSB221SDA晶振同时还是一款环保节能省电的贴片晶振.
产品规格参数图:
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温补晶振 |
标示 |
DSB221SDA |
晶振基本信息对照表 |
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标准范围 |
f0 |
26.000MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
＋2.8V |
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输出电流 |
Icc |
1.5 mA max. |
Vcc=2.8V |
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频率负载 |
L_CMOS |
10pF |
CMOS 出力 |
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标准频率偏差 |
f_tol |
±1.5ppm |
初期偏差、 |
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输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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对称 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
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标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90%、L_CMOS=10pF |
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如晶振从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致进口晶振性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解贴片晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致温补晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用贴片石英晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏温补晶振，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。
产品工作条件:
1.驱动能力
晶振在线订购:1.驱动能力
驱动能力说明所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2.Re
其中i表示经过单元的电流，
Re表示单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振荡补偿
除非在电路中提供足够的负极电阻，否则会增加石英晶振启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极
3.负载电容
如果电路中负载电容的不同，可能导致频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
振荡回路参数设置参考
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