TMR2505线性磁传感器采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，属于多维MDT线性磁传感器系列产品。TMR2505线性磁传感器包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件，TMR2505线性磁传感器可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于TMR2505线性磁传感器表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内，TMR2505线性磁传感器的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平，性能优越。授权于晶圆电子国内一级代理商。TMR2505线性磁传感器采用两种封装形式： TO94和SSIP4。
产品特性
隧道磁电阻(TMR)技术
高灵敏度
低功耗
优越的温度稳定性
极低的磁滞
宽工作电压范围
典型应用
磁力计
电流传感器
位置传感器