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4000A(400nm)植入式栅极氧化固态剂量计

 
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所在地: 北京
有效期至: 2014-08-01 [已过期]
最后更新: 2014-07-30 13:48
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公司基本资料信息
详细说明

技术要求

典型数值在27°C

氧化层厚度4000A

辐射Vth灵敏度

辐射场= 0.125 MV/cm : 灵敏度= 1.33mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.463mV/rad
(灵敏度在 1.5 krad(H2O),在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

温度补偿

TVTC 2.5mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.)

线性模式中Z.T.C. 数值~ -500nA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

饱和模式中Z.T.C.数值~ -1µA
(使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压(外推) -1.0 +/- 0.4V

Vth漂移时间(秒) 2.5mV/十年
(该数据出自读写器配置强迫40µA)

氧化层击穿电压~280V

沟道漏电流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA

亚阈值斜率220 +/- 20 mV/decade

沟道电阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms

北京华恒鑫达公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列(液氮致冷)、平面型高纯锗探测器GPD系列(液氮致冷)、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪(现场使用)、X γ射线高纯锗谱仪(电致冷)、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。

 

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