OTH119砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。
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产品特点
线性度优良、温度稳定性好、采用微型封装
典型应用
磁场测量、无刷电机、电流传感器
无触点开关、位置控制、转速检测
极限参数
最大控制电流Ii····························10 mA
工作环境温度TA ···············-55～125℃
贮存温度范围TS ················-55～150℃
