参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | SN74LVC1G00DCKR |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1506888855 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | TSSOP, TSSOP5/6,.08 |
针数 | 5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
风险等级 | 0.81 |
Samacsys Description | SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE |
Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Samacsys Modified On | 2021-08-02 16:02:48 |
YTEOL | 15 |
系列 | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 2 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.032 A |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
输入次数 | 2 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP5/6,.08 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3.3 V |
最大电源电流(ICC) | 0.01 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.7 ns |
传播延迟(tpd) | 9 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 1.1 mm |
子类别 | Gates |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1.25 mm |